NT-MDT

СТМ изображение 3^х слоев проводящей пленки, нанесенной на поверхность высоко-оринтированного пиролитического графита, после действия локального электрического импульса, длительностью 15 мксек, амплитудой 5В с расстояния ~5A. Наблюдается "глубокий" дефект, размером в плоскости ~5нм. Возможно при этом проводящая пленка локально в зоне дефекта, перешла в диэлектрическое состояние. Скан размером 38x38 нм.

Условия измерения

Дата 26-Мая-1994

Прибор P4-SPM-MDT (16 разрядный ЦАП, сканер 3.5мкм x 3.5мкм)

Мода СТМ Топография

Зонд PtIr игла

Измерено В.Быковым, Научно Исследовательский Институт Физических Проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.

V.A.Bykov. Langmuir-Blodgett films and nanotechnology. Biosensor & Bioelectronics Vol. 11, No. 9, pp. 923-932, 1996.