NT-MDT

ССМ изображение свежего скола кристалла со сформированной сверхрешеткой GaAs/Ga_xAl_1-xAs, полученное с регистрацией изменения боковых сил. Наблюдаемый контраст обусловлен неоднородностью сил трения. Скан размером 0.9x1.1 мкм.

Условия измерения

Дата 22-Мар-1996

Прибор P4-SPM-MDT (16 разрядный ЦАП, сканер 14мкм x 14мкм)

Мода ССМ Боковых сил

Зонд Кантилевер Si₃N₄ с радиусом кривизны 50нм

Измерено М.Еремченко, Научно Исследовательский Институт Физических Проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.

V.A.Fedirko, V.A.Bykov, M.D.Eremtchenko, V.I.Shashkin and V.M.Daniltzev. Characterization of GaAs/GaAlAs MOCVD Superlatice by STM/AFM Technique. Russian Academy of Siences. Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers, St Petersburg, Russia, 24-28 June 1996, pp.. 381-384.