[UltraSharp Проводящие Кремниевые Кантилеверы]

[Image] Тонкая пленка диэлектрика с туннельной толщиной на вершине епитаксиальной пленки W (10 нм), полученная в режимах atomic force (a1,b1) и current mode (a2,b2).

Сканы a1 и a2 размером 185x185 нм.
Сканы b1 и b2 размером 375x130 нм.

Условия измерения
Дата22-Мая-1997
ПриборP4-SPM-MDT (18 разрядный ЦАП, сканер размером 20 x 20 мкм)
МодаCCМ контактная мода
ЗондПроводящий кантилевер UltraSharp с радиусом кривизны 30 нм

Измерено Г.М. Михайловым, Институт Проблем Технологий Микроэлектроники, Черноголовка, Россия.
Copyright © 1997, НТ-МДТ
Обратная связь bykovav@ntmdt.zgrad.ru