![[SOLVER Сканирующий Зондовый Микроскоп]](/label/solverru.gif)
 Общая информация Более потробная информация Tехнические характеристики |
Сверхвысоковакуумный микроскоп Solver P7-SPMUHV-MDT |
 |
Поверхность GaAs, до прогрева (до температуры 650°C темтература вызывающая диструкцию поверхности). Поверхность GaAs была прогрета при 400°C в течениии 10 минут для удаления адсорбата. | |
Поверхность GaAs, после прогрева при температуре 650°C в течение 5-10 минут. Мы можем наблюдать диструкцию поверхности вызванное прогревом. |
 |
 |
Изменение силы взаимодействия кантилевера с поверхностью образца от растояния между ними для GaAs на воздухе | |
Изменение силы взаимодействия кантилевера с поверхностью образца от растояния между ними для GaAs при остаточном давлении в аналитической камере 10-10торр |
 |
 |
АЧХ кантилевера с резонансной частатой 135,27кГц (мягкий кантилевер) в высоком вакууме (Pост=10-10торр), добротност Q=19745. | |
АЧХ кантилевера с резонансной частатой 535,04кГц (жесткий кантилевер) в высоком вакууме (Pост=10-10торр), добротност Q=22292. |
 |
|